DZ23C22-7-F
IC
SOT-23
可供量大可议
DZ23C22-7-F
特性：双齐纳二极管共阴极配置。 300mW 功率耗散。 非常适合自动插入。 同一封装中两个二极管的 ΔVz ≤ 5%。 提供共阳极样式。 完全无铅且完全符合 RoHS 标准。 无卤素和锑, “绿色”器件。 符合 JEDEC 标准, 具备高可靠性
品牌
DIODES
封装
SOT-23
库存
20
货期
现货
DZ23C22-7-F参数
| 封装 | SOT-23 |
|---|---|
| 品牌 | DIODES(美台) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 稳压二极管 |
|---|---|
| 库存 | 20 |
DZ23C22-7-F概述
特性：双齐纳二极管共阴极配置。 300mW 功率耗散。 非常适合自动插入。 同一封装中两个二极管的 ΔVz ≤ 5%。 提供共阳极样式。 完全无铅且完全符合 RoHS 标准。 无卤素和锑, “绿色”器件。 符合 JEDEC 标准, 具备高可靠性
DZ23C22-7-F特性
暂无产品特性。
DZ23C22-7-F应用领域
暂无应用领域。