DXTN5820DFDB-7
IC
UDFN2020-3
可供量大可议
DXTN5820DFDB-7
特性：BVCEO > 20V。 hFE 规定高达 6A 以保持高电流增益。 低轮廓 0.6mm 高封装， 适用于薄型应用。 完全无铅且完全符合 RoHS 标准。 无卤素和锑， “绿色”器件。 该部件符合 JEDEC 标准， 具有高可靠性。 应用：DC-DC 转换器。 充电电路
品牌
DIODES
封装
UDFN2020-3
库存
10
货期
现货
DXTN5820DFDB-7参数
| 封装 | UDFN2020-3 |
|---|---|
| 品牌 | DIODES(美台) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 三极管(BJT) |
|---|---|
| 库存 | 10 |
DXTN5820DFDB-7概述
特性：BVCEO > 20V。 hFE 规定高达 6A 以保持高电流增益。 低轮廓 0.6mm 高封装， 适用于薄型应用。 完全无铅且完全符合 RoHS 标准。 无卤素和锑， “绿色”器件。 该部件符合 JEDEC 标准， 具有高可靠性。 应用：DC-DC 转换器。 充电电路
DXTN5820DFDB-7特性
暂无产品特性。
DXTN5820DFDB-7应用领域
暂无应用领域。