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DXT2011P5-13
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IC

PowerDI-5

DXT2011P5-13

三极管(BJT) 3.2W 100V 6A NPN

品牌

DIODES

封装

PowerDI-5

交期

现货

批次

25+

DXT2011P5-13参数

封装PowerDI-5
品牌DIODES(美台)
批次25+
晶体管类型NPN
集射极击穿电压(Vceo)100V
直流电流增益(hFE)30
集电极截止电流(Icbo)500nA
工作温度-55℃~+150℃
数量1个NPN
分类三极管(BJT)
库存7,403
MOQ / SPQ1 / 1
集电极电流(Ic)6A
耗散功率(Pd)3.2W
特征频率(fT)130MHz
集射极饱和电压(VCE(sat))125mV
射基极击穿电压(Vebo)7V

DXT2011P5-13概述

三极管(BJT) 3.2W 100V 6A NPN

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