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DWLG40N008
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IC

TO-LL

DWLG40N008

N, 40V, ±20V, 570A, 0.8mΩ

品牌

DOWO

封装

TO-LL

交期

现货

批次

—

DWLG40N008参数

封装TO-LL
品牌DOWO(东沃)
MOQ / SPQ1 / 1
漏源电压(Vdss)40V
耗散功率(Pd)375W
栅极电荷量(Qg)88.98nC
反向传输电容(Crss)175pF
输出电容(Coss)2nF
商品名称DWLG40N008
包装方式编带
商品类型场效应管(MOSFET)
分类场效应管(MOSFET)
库存1960
数量1个N沟道
导通电阻(RDS(on))0.8mΩ@10V
阈值电压(Vgs(th))3V
输入电容(Ciss)5.23nF
类型N沟道
栅极电压(Vgs)±20V
商品型号DWLG40N008
单位个
商品重量0.0010728

DWLG40N008概述

N, 40V, ±20V, 570A, 0.8mΩ

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