DWD30100P1
自营可供
IC
TO-252
DWD30100P1
N, 30V, ±20V, 100A, 2.8mΩ
品牌
DOWO
封装
TO-252
交期
现货
批次
—
DWD30100P1参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | DOWO(东沃) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 耗散功率(Pd) | 120W |
| 栅极电荷量(Qg) | 69.3nC |
| 反向传输电容(Crss) | 303pF |
| 输出电容(Coss) | 392pF |
| 商品名称 | DWD30100P1 |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | 场效应管(MOSFET) |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 2500 |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.8mΩ@10V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 输入电容(Ciss) | 2.548nF |
| 类型 | N沟道 |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
| 商品型号 | DWD30100P1 |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 0.00051844 |
DWD30100P1概述
N, 30V, ±20V, 100A, 2.8mΩ