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DWD150N04
自营可供
IC

TO-252

DWD150N04

N, 40V, ±20V, 150A, 1.8mΩ

品牌

DOWO

封装

TO-252

交期

现货

批次

—

DWD150N04参数

封装TO-252
品牌DOWO(东沃)
MOQ / SPQ1 / 5
漏源电压(Vdss)40V
耗散功率(Pd)125W
栅极电荷量(Qg)163nC
反向传输电容(Crss)630pF
输出电容(Coss)815pF
商品名称DWD150N04
包装方式编带
商品类型场效应管(MOSFET)
分类场效应管(MOSFET)
库存2500
数量1个N沟道
导通电阻(RDS(on))2.4mΩ@10V
阈值电压(Vgs(th))1.7V
输入电容(Ciss)5.296nF
类型N沟道
栅极电压(Vgs)±20V
商品型号DWD150N04
单位个
商品重量0.00052452

DWD150N04概述

N, 40V, ±20V, 150A, 1.8mΩ

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