DTH8E06DQ-HXY
IC
TO-220C-2L
可供量大可议
DTH8E06DQ-HXY
该快恢复/高效率二极管采用独立式配置, 额定正向电流(IF)为8A, 最大反向重复峰值电压(VR)达600V, 正向压降(VF)典型值为1.5V, 反向漏电流(IR)低至10μA, 具备优异的导通与阻断特性。 其非重复浪涌正向电流(IFSM)可达100A, 适用于对开关速度和能效要求较高的电源转换、逆变及整流等电路场合, 能够在高频工作条件下保持较低的功率损耗与良好的热稳定性。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-220C-2L
库存
23
货期
现货
DTH8E06DQ-HXY参数
| 封装 | TO-220C-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 快恢复/高效率二极管 |
|---|---|
| 库存 | 23 |
DTH8E06DQ-HXY概述
该快恢复/高效率二极管采用独立式配置, 额定正向电流(IF)为8A, 最大反向重复峰值电压(VR)达600V, 正向压降(VF)典型值为1.5V, 反向漏电流(IR)低至10μA, 具备优异的导通与阻断特性。 其非重复浪涌正向电流(IFSM)可达100A, 适用于对开关速度和能效要求较高的电源转换、逆变及整流等电路场合, 能够在高频工作条件下保持较低的功率损耗与良好的热稳定性。
DTH8E06DQ-HXY特性
暂无产品特性。
DTH8E06DQ-HXY应用领域
暂无应用领域。
