库存与价格 最近更新:2026年10月9日 00:34(北京时间)
WMiC电子元器件采购平台
热门搜索型号:
DTH8E06DQ-HXY
IC

TO-220C-2L

可供量大可议

DTH8E06DQ-HXY

该快恢复/高效率二极管采用独立式配置, 额定正向电流(IF)为8A, 最大反向重复峰值电压(VR)达600V, 正向压降(VF)典型值为1.5V, 反向漏电流(IR)低至10μA, 具备优异的导通与阻断特性。 其非重复浪涌正向电流(IFSM)可达100A, 适用于对开关速度和能效要求较高的电源转换、逆变及整流等电路场合, 能够在高频工作条件下保持较低的功率损耗与良好的热稳定性。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-220C-2L

库存

23

货期

现货

DTH8E06DQ-HXY参数

封装TO-220C-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类快恢复/高效率二极管
库存23

DTH8E06DQ-HXY概述

该快恢复/高效率二极管采用独立式配置, 额定正向电流(IF)为8A, 最大反向重复峰值电压(VR)达600V, 正向压降(VF)典型值为1.5V, 反向漏电流(IR)低至10μA, 具备优异的导通与阻断特性。 其非重复浪涌正向电流(IFSM)可达100A, 适用于对开关速度和能效要求较高的电源转换、逆变及整流等电路场合, 能够在高频工作条件下保持较低的功率损耗与良好的热稳定性。

DTH8E06DQ-HXY特性

暂无产品特性。

DTH8E06DQ-HXY应用领域

暂无应用领域。

商务邮箱 / Email

sales@womaielec.com

点击发送邮件