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DTC643TKT146
IC

SC-59

可供量大可议

DTC643TKT146

特性:除了普通数字晶体管的特性外。 低饱和电压:在 Ic / Ib = 50mA / 2.5mA 时, 典型值 VCE(sat) = 40mV, 适用于静音电路。 可在高电流水平下使用, Ic = 600mA

品牌

ROHM

封装

SC-59

库存

960

货期

现货

DTC643TKT146参数

封装SC-59
品牌ROHM(罗姆)
MOQ / SPQ1 / 5
集射极击穿电压(Vceo)20V
耗散功率(Pd)200mW
直流电流增益(hFE)820
输入电阻4.7kΩ
集射极饱和电压(VCE(sat))150mV
集电极截止电流(Icbo)500nA
分类数字晶体管
库存960
数量1个NPN-预偏置
集电极电流(Ic)600mA
晶体管类型NPN
射基极击穿电压(Vebo)12V
工作温度-55℃~+150℃
特征频率(fT)150MHz

DTC643TKT146概述

数字晶体管 200mW 20V 600mA 1个NPN-预偏置

DTC643TKT146特性

暂无产品特性。

DTC643TKT146应用领域

暂无应用领域。

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