DTC143EE-MS
IC
SOT-523
可供量大可议
DTC143EE-MS
晶体管类型：1个NPN-预偏置 功率(Pd)：150mW 集电极电流(Ic)：100mA 集射极击穿电压(Vceo)：50V 集电极截止电流(Icbo)：100nA 集射极饱和电压(VCE(sat)@Ic, Ib)：250mV@10mA, 1mA 直流电流增益(hFE@Ic, Vce)：30@10mA, 5V
品牌
MSKSEMI
封装
SOT-523
库存
1,100
货期
现货
DTC143EE-MS参数
| 封装 | SOT-523 |
|---|---|
| 品牌 | MSKSEMI(美森科) |
| MOQ / SPQ | 1 / 20 |
| 分类 | 数字晶体管 |
|---|---|
| 库存 | 1100 |
DTC143EE-MS概述
晶体管类型：1个NPN-预偏置 功率(Pd)：150mW 集电极电流(Ic)：100mA 集射极击穿电压(Vceo)：50V 集电极截止电流(Icbo)：100nA 集射极饱和电压(VCE(sat)@Ic, Ib)：250mV@10mA, 1mA 直流电流增益(hFE@Ic, Vce)：30@10mA, 5V
DTC143EE-MS特性
暂无产品特性。
DTC143EE-MS应用领域
暂无应用领域。