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DTC114TKAT146
IC

SOT-23

可供量大可议

DTC114TKAT146

򬓹 򏟋 򏟋 mV@ 󗙻 mA, 󗙻 򏟋 mA NPN - Pre-Biased 򘞟 򏟋 򏟋 mW 𢺫 V 𢺫 򏟋 򏟋 nA 𢺫 򏟋 V 𢺫 򏟋 V 󗙻 򏟋 򏟋 mA SOT-򘞟 򬓹 贴片安装 󗙻 񄂹 򬓹 mm(高度)

品牌

ROHM

封装

SOT-23

库存

112

货期

现货

DTC114TKAT146参数

封装SOT-23
品牌ROHM
批次2124+
数量1个NPN-预偏置
集电极电流(Ic)100mA
晶体管类型NPN
射基极击穿电压(Vebo)5V
工作温度-55℃~+150℃
特征频率(fT)250MHz
分类三极管(BJT)
库存112
MOQ / SPQ5 / 1
集射极击穿电压(Vceo)50V
耗散功率(Pd)200mW
直流电流增益(hFE)100
输入电阻10kΩ
集射极饱和电压(VCE(sat))300mV
集电极截止电流(Icbo)500nA

DTC114TKAT146概述

数字晶体管 200mW 50V 100mA 1个NPN-预偏置

DTC114TKAT146特性

暂无产品特性。

DTC114TKAT146应用领域

暂无应用领域。

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