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DTC114TET1G
IC

SOT-416-3

可供量大可议

DTC114TET1G

该系列数字晶体管旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。 偏置电阻晶体管 (BRT) 包含一个带有由两个电阻组成的单片偏置网络的单个晶体管, 即一个串联基极电阻和一个基极-发射极电阻。 BRT 通过将这些单独的组件集成到一个器件中来消除它们。 使用 BRT 可以降低系统成本和电路板空间。

品牌

onsemi

封装

SOT-416-3

库存

140

货期

现货

DTC114TET1G参数

封装SOT-416-3
品牌onsemi(安森美)
MOQ / SPQ1 / 10
分类数字晶体管
库存140

DTC114TET1G概述

该系列数字晶体管旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。 偏置电阻晶体管 (BRT) 包含一个带有由两个电阻组成的单片偏置网络的单个晶体管, 即一个串联基极电阻和一个基极-发射极电阻。 BRT 通过将这些单独的组件集成到一个器件中来消除它们。 使用 BRT 可以降低系统成本和电路板空间。

DTC114TET1G特性

暂无产品特性。

DTC114TET1G应用领域

暂无应用领域。

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