DSTF10200C-HXY
IC
TO-220F
可供量大可议
DSTF10200C-HXY
该肖特基二极管采用1对共阴极配置, 额定正向电流为10A, 最大反向电压为200V。 其正向压降为1.2V, 在较高反向耐压下仍保持合理的导通损耗; 反向漏电流为100μA, 展现出良好的阻断特性。 器件可承受高达120A的非重复峰值正向浪涌电流, 适用于对耐压能力和瞬态响应有要求的整流、续流及开关电源等电路。 共阴极结构便于在多输出或桥式拓扑中实现紧凑布局。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-220F
库存
49
货期
现货
DSTF10200C-HXY参数
| 封装 | TO-220F |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 49 |
DSTF10200C-HXY概述
该肖特基二极管采用1对共阴极配置, 额定正向电流为10A, 最大反向电压为200V。 其正向压降为1.2V, 在较高反向耐压下仍保持合理的导通损耗; 反向漏电流为100μA, 展现出良好的阻断特性。 器件可承受高达120A的非重复峰值正向浪涌电流, 适用于对耐压能力和瞬态响应有要求的整流、续流及开关电源等电路。 共阴极结构便于在多输出或桥式拓扑中实现紧凑布局。
DSTF10200C-HXY特性
暂无产品特性。
DSTF10200C-HXY应用领域
暂无应用领域。
