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DSTF10200C-HXY
IC

TO-220F

可供量大可议

DSTF10200C-HXY

该肖特基二极管采用1对共阴极配置, 额定正向电流为10A, 最大反向电压为200V。 其正向压降为1.2V, 在较高反向耐压下仍保持合理的导通损耗; 反向漏电流为100μA, 展现出良好的阻断特性。 器件可承受高达120A的非重复峰值正向浪涌电流, 适用于对耐压能力和瞬态响应有要求的整流、续流及开关电源等电路。 共阴极结构便于在多输出或桥式拓扑中实现紧凑布局。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-220F

库存

49

货期

现货

DSTF10200C-HXY参数

封装TO-220F
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类肖特基二极管
库存49

DSTF10200C-HXY概述

该肖特基二极管采用1对共阴极配置, 额定正向电流为10A, 最大反向电压为200V。 其正向压降为1.2V, 在较高反向耐压下仍保持合理的导通损耗; 反向漏电流为100μA, 展现出良好的阻断特性。 器件可承受高达120A的非重复峰值正向浪涌电流, 适用于对耐压能力和瞬态响应有要求的整流、续流及开关电源等电路。 共阴极结构便于在多输出或桥式拓扑中实现紧凑布局。

DSTF10200C-HXY特性

暂无产品特性。

DSTF10200C-HXY应用领域

暂无应用领域。

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