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DST847BPDP6-7
自营可供
IC

SOT-963-6

DST847BPDP6-7

三极管(BJT) 250mW 45V 100mA NPN+PNP

品牌

DIODES

封装

SOT-963-6

交期

现货

批次

两年内

DST847BPDP6-7参数

封装SOT-963-6
品牌DIODES(美台)
批次两年内
晶体管类型NPN+PNP
集射极击穿电压(Vceo)45V
直流电流增益(hFE)200
集电极截止电流(Icbo)15nA
工作温度-55℃~+150℃
数量1个NPN+1个PNP
分类三极管(BJT)
库存10,000
MOQ / SPQ1 / 1
集电极电流(Ic)100mA
耗散功率(Pd)300mW
特征频率(fT)175MHz
集射极饱和电压(VCE(sat))50mV
射基极击穿电压(Vebo)6V

DST847BPDP6-7概述

三极管(BJT) 250mW 45V 100mA NPN+PNP

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