DST847BDJ-7
IC
SOT-963
可供量大可议
DST847BDJ-7
特性：双NPN， 集电极发射极击穿电压（BVcEO）> 45V（集电极电流Ic = 100mA）。 高集电极电流。 功率耗散PD = 300mW。 封装尺寸1mm²， 比SOT23小5倍。 封装高度0.5mm， 减少板外轮廓。 有互补PNP类型可选。 完全无铅， 完全符合RoHS标准。 无卤素和锑， “绿色”器件
品牌
DIODES
封装
SOT-963
库存
10
货期
现货
DST847BDJ-7参数
| 封装 | SOT-963 |
|---|---|
| 品牌 | DIODES(美台) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 三极管(BJT) |
|---|---|
| 库存 | 10 |
DST847BDJ-7概述
特性：双NPN， 集电极发射极击穿电压（BVcEO）> 45V（集电极电流Ic = 100mA）。 高集电极电流。 功率耗散PD = 300mW。 封装尺寸1mm²， 比SOT23小5倍。 封装高度0.5mm， 减少板外轮廓。 有互补PNP类型可选。 完全无铅， 完全符合RoHS标准。 无卤素和锑， “绿色”器件
DST847BDJ-7特性
暂无产品特性。
DST847BDJ-7应用领域
暂无应用领域。