DSS5160T-7-HXY
IC
SOT-23
可供量大可议
DSS5160T-7-HXY
这款PNP型三极管(BJT)提供1A的集电极电流(IC)能力, 最大集电极-发射极电压(VCEO)为60V。 其直流电流增益(HFE)范围在100至300之间, 适合于需要适中放大性能的应用。 特征频率(FT)高达150MHz, 确保了在高频操作条件下的稳定性和效率。 适用于信号放大、音频处理和电源管理等电路设计中, 特别适合需要高频率响应和良好电流控制能力的场景, 为各种电子设备提供稳定的性能支持。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOT-23
库存
175
货期
现货
DSS5160T-7-HXY参数
| 封装 | SOT-23 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 三极管(BJT) |
|---|---|
| 库存 | 175 |
DSS5160T-7-HXY概述
这款PNP型三极管(BJT)提供1A的集电极电流(IC)能力, 最大集电极-发射极电压(VCEO)为60V。 其直流电流增益(HFE)范围在100至300之间, 适合于需要适中放大性能的应用。 特征频率(FT)高达150MHz, 确保了在高频操作条件下的稳定性和效率。 适用于信号放大、音频处理和电源管理等电路设计中, 特别适合需要高频率响应和良好电流控制能力的场景, 为各种电子设备提供稳定的性能支持。
DSS5160T-7-HXY特性
暂无产品特性。
DSS5160T-7-HXY应用领域
暂无应用领域。
