DSS4220V-7
IC
SOT-563
可供量大可议
DSS4220V-7
特性：外延平面芯片结构。 有互补PNP类型。 低集电极-发射极饱和电压VCE(SAT)。 在高集电极电流IC下有高电流增益hFE。 适合自动组装的表面贴装封装。 超小表面贴装封装。 无铅/符合RoHS标准。 “绿色设备”
品牌
DIODES
封装
SOT-563
库存
5
货期
现货
DSS4220V-7参数
| 封装 | SOT-563 |
|---|---|
| 品牌 | DIODES(美台) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 三极管(BJT) |
|---|---|
| 库存 | 5 |
DSS4220V-7概述
特性：外延平面芯片结构。 有互补PNP类型。 低集电极-发射极饱和电压VCE(SAT)。 在高集电极电流IC下有高电流增益hFE。 适合自动组装的表面贴装封装。 超小表面贴装封装。 无铅/符合RoHS标准。 “绿色设备”
DSS4220V-7特性
暂无产品特性。
DSS4220V-7应用领域
暂无应用领域。