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DSS4160TQ-7-HXY
IC

SOT-23

可供量大可议

DSS4160TQ-7-HXY

这款NPN型三极管(BJT)具有1A的集电极电流IC和60V的集电极-发射极电压VCEO, 适用于需要中等功率处理能力的应用。 其直流电流增益HFE范围为100至300, 能够满足不同设计对放大效率的需求。 此外, 该三极管的过渡频率FT为150MHz, 确保了在高频工作环境下仍能保持稳定性能, 适合于无线通信设备、家用电器及各类消费电子产品中的信号放大与开关应用。 通过其出色的参数配置, 此三极管支持高效稳定的电路运作, 是实现复杂电子设计的重要组件。

品牌

HXY MOSFET

封装

SOT-23

库存

2,350

货期

现货

DSS4160TQ-7-HXY参数

封装SOT-23
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 5
分类三极管(BJT)
库存2350

DSS4160TQ-7-HXY概述

这款NPN型三极管(BJT)具有1A的集电极电流IC和60V的集电极-发射极电压VCEO, 适用于需要中等功率处理能力的应用。 其直流电流增益HFE范围为100至300, 能够满足不同设计对放大效率的需求。 此外, 该三极管的过渡频率FT为150MHz, 确保了在高频工作环境下仍能保持稳定性能, 适合于无线通信设备、家用电器及各类消费电子产品中的信号放大与开关应用。 通过其出色的参数配置, 此三极管支持高效稳定的电路运作, 是实现复杂电子设计的重要组件。

DSS4160TQ-7-HXY特性

暂无产品特性。

DSS4160TQ-7-HXY应用领域

暂无应用领域。

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