DSS3540MQ-7B
IC
DFN-3(1x0.6)
可供量大可议
DSS3540MQ-7B
特性：BVCEO >-40V。 IC =-500mA 高集电极电流。 ICM =-1A 峰值脉冲电流。 PD = 1000mW 功率耗散。 低集电极-发射极饱和电压， VCE(sat)。 0.60mm² 封装尺寸， 比 SOT23 小 13 倍。 0.5mm 高度封装， 减少板外轮廓。 完全无铅且完全符合 RoHS 标准。 无卤素和锑， “绿色”器件。 适用于需要特定变更控制的汽车应用， 该部件符合 AEC-Q101 标准， 具备 PPAP 能力， 并在通过 IATF16949 认证的工厂生产
品牌
DIODES
封装
DFN-3(1x0.6)
库存
17
货期
现货
DSS3540MQ-7B参数
| 封装 | DFN-3(1x0.6) |
|---|---|
| 品牌 | DIODES(美台) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 三极管(BJT) |
|---|---|
| 库存 | 17 |
DSS3540MQ-7B概述
特性：BVCEO >-40V。 IC =-500mA 高集电极电流。 ICM =-1A 峰值脉冲电流。 PD = 1000mW 功率耗散。 低集电极-发射极饱和电压， VCE(sat)。 0.60mm² 封装尺寸， 比 SOT23 小 13 倍。 0.5mm 高度封装， 减少板外轮廓。 完全无铅且完全符合 RoHS 标准。 无卤素和锑， “绿色”器件。 适用于需要特定变更控制的汽车应用， 该部件符合 AEC-Q101 标准， 具备 PPAP 能力， 并在通过 IATF16949 认证的工厂生产
DSS3540MQ-7B特性
暂无产品特性。
DSS3540MQ-7B应用领域
暂无应用领域。