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DSR8V600-HXY
IC

TO-220C-2L

可供量大可议

DSR8V600-HXY

该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流为8A, 最大反向重复峰值电压为650V, 典型正向压降为1.38V, 非重复峰值正向浪涌电流达88A。 基于碳化硅材料的特性, 器件具有较低的导通压降和优异的高频开关能力, 在高效率电源转换系统中表现突出, 适用于通信电源、服务器供电单元及高密度功率变换模块等应用场合。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-220C-2L

库存

24

货期

现货

DSR8V600-HXY参数

封装TO-220C-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类碳化硅二极管
库存24

DSR8V600-HXY概述

该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流为8A, 最大反向重复峰值电压为650V, 典型正向压降为1.38V, 非重复峰值正向浪涌电流达88A。 基于碳化硅材料的特性, 器件具有较低的导通压降和优异的高频开关能力, 在高效率电源转换系统中表现突出, 适用于通信电源、服务器供电单元及高密度功率变换模块等应用场合。

DSR8V600-HXY特性

暂无产品特性。

DSR8V600-HXY应用领域

暂无应用领域。

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