DSR8V600-HXY
IC
TO-220C-2L
可供量大可议
DSR8V600-HXY
该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流为8A, 最大反向重复峰值电压为650V, 典型正向压降为1.38V, 非重复峰值正向浪涌电流达88A。 基于碳化硅材料的特性, 器件具有较低的导通压降和优异的高频开关能力, 在高效率电源转换系统中表现突出, 适用于通信电源、服务器供电单元及高密度功率变换模块等应用场合。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-220C-2L
库存
24
货期
现货
DSR8V600-HXY参数
| 封装 | TO-220C-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅二极管 |
|---|---|
| 库存 | 24 |
DSR8V600-HXY概述
该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流为8A, 最大反向重复峰值电压为650V, 典型正向压降为1.38V, 非重复峰值正向浪涌电流达88A。 基于碳化硅材料的特性, 器件具有较低的导通压降和优异的高频开关能力, 在高效率电源转换系统中表现突出, 适用于通信电源、服务器供电单元及高密度功率变换模块等应用场合。
DSR8V600-HXY特性
暂无产品特性。
DSR8V600-HXY应用领域
暂无应用领域。
