DSR8F600-HXY
IC
TO-220C-2L
可供量大可议
DSR8F600-HXY
该快恢复/高效率二极管采用独立式结构, 额定正向电流为8A, 最大反向重复电压达600V, 正向压降典型值为1.5V, 反向漏电流低至10μA, 表现出优异的导通与阻断性能。 其非重复峰值正向浪涌电流能力为100A, 具备良好的瞬态耐受特性。 器件在高频开关应用中可有效降低开关损耗, 适用于高效率电源、开关模式变换器及对动态响应和能效有较高要求的电力电子系统。
Brand
HXY MOSFET
Package
TO-220C-2L
Stock
23
货期
现货
DSR8F600-HXYParameters
| 封装 | TO-220C-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 快恢复/高效率二极管 |
|---|---|
| 库存 | 23 |
DSR8F600-HXY概述
该快恢复/高效率二极管采用独立式结构, 额定正向电流为8A, 最大反向重复电压达600V, 正向压降典型值为1.5V, 反向漏电流低至10μA, 表现出优异的导通与阻断性能。 其非重复峰值正向浪涌电流能力为100A, 具备良好的瞬态耐受特性。 器件在高频开关应用中可有效降低开关损耗, 适用于高效率电源、开关模式变换器及对动态响应和能效有较高要求的电力电子系统。
DSR8F600-HXY特性
暂无产品特性。
DSR8F600-HXY应用领域
暂无应用领域。
