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DSR8F600-HXY
IC

TO-220C-2L

可供量大可议

DSR8F600-HXY

该快恢复/高效率二极管采用独立式结构, 额定正向电流为8A, 最大反向重复电压达600V, 正向压降典型值为1.5V, 反向漏电流低至10μA, 表现出优异的导通与阻断性能。 其非重复峰值正向浪涌电流能力为100A, 具备良好的瞬态耐受特性。 器件在高频开关应用中可有效降低开关损耗, 适用于高效率电源、开关模式变换器及对动态响应和能效有较高要求的电力电子系统。

Brand

HXY MOSFET

Package

TO-220C-2L

Stock

23

货期

现货

DSR8F600-HXYParameters

封装TO-220C-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类快恢复/高效率二极管
库存23

DSR8F600-HXY概述

该快恢复/高效率二极管采用独立式结构, 额定正向电流为8A, 最大反向重复电压达600V, 正向压降典型值为1.5V, 反向漏电流低至10μA, 表现出优异的导通与阻断性能。 其非重复峰值正向浪涌电流能力为100A, 具备良好的瞬态耐受特性。 器件在高频开关应用中可有效降低开关损耗, 适用于高效率电源、开关模式变换器及对动态响应和能效有较高要求的电力电子系统。

DSR8F600-HXY特性

暂无产品特性。

DSR8F600-HXY应用领域

暂无应用领域。

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