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DSR6U600D1-13-HXY
IC

TO-252-2L

可供量大可议

DSR6U600D1-13-HXY

该碳化硅二极管采用独立式结构, 额定正向电流为6A, 最大反向重复电压达650V, 正向压降典型值为1.3V, 反向漏电流低至50μA, 具备优异的导通与阻断特性。 其非重复峰值正向浪涌电流能力为48A, 适用于对效率和热性能要求较高的高频开关场景。 器件利用碳化硅材料优势, 在高电压、高频率条件下仍能保持较低损耗与稳定运行, 适合用于电源转换、可再生能源系统及高性能电子设备中的整流与续流功能。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-252-2L

库存

49

货期

现货

DSR6U600D1-13-HXY参数

封装TO-252-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类碳化硅二极管
库存49

DSR6U600D1-13-HXY概述

该碳化硅二极管采用独立式结构, 额定正向电流为6A, 最大反向重复电压达650V, 正向压降典型值为1.3V, 反向漏电流低至50μA, 具备优异的导通与阻断特性。 其非重复峰值正向浪涌电流能力为48A, 适用于对效率和热性能要求较高的高频开关场景。 器件利用碳化硅材料优势, 在高电压、高频率条件下仍能保持较低损耗与稳定运行, 适合用于电源转换、可再生能源系统及高性能电子设备中的整流与续流功能。

DSR6U600D1-13-HXY特性

暂无产品特性。

DSR6U600D1-13-HXY应用领域

暂无应用领域。

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