DSR6U600D1-13-HXY
IC
TO-252-2L
可供量大可议
DSR6U600D1-13-HXY
该碳化硅二极管采用独立式结构, 额定正向电流为6A, 最大反向重复电压达650V, 正向压降典型值为1.3V, 反向漏电流低至50μA, 具备优异的导通与阻断特性。 其非重复峰值正向浪涌电流能力为48A, 适用于对效率和热性能要求较高的高频开关场景。 器件利用碳化硅材料优势, 在高电压、高频率条件下仍能保持较低损耗与稳定运行, 适合用于电源转换、可再生能源系统及高性能电子设备中的整流与续流功能。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-252-2L
库存
49
货期
现货
DSR6U600D1-13-HXY参数
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅二极管 |
|---|---|
| 库存 | 49 |
DSR6U600D1-13-HXY概述
该碳化硅二极管采用独立式结构, 额定正向电流为6A, 最大反向重复电压达650V, 正向压降典型值为1.3V, 反向漏电流低至50μA, 具备优异的导通与阻断特性。 其非重复峰值正向浪涌电流能力为48A, 适用于对效率和热性能要求较高的高频开关场景。 器件利用碳化硅材料优势, 在高电压、高频率条件下仍能保持较低损耗与稳定运行, 适合用于电源转换、可再生能源系统及高性能电子设备中的整流与续流功能。
DSR6U600D1-13-HXY特性
暂无产品特性。
DSR6U600D1-13-HXY应用领域
暂无应用领域。
