DSR10F600P-HXY
IC
TO-220C-2L
可供量大可议
DSR10F600P-HXY
该碳化硅二极管采用独立式结构, 额定正向电流为10A, 最大反向重复电压达650V。 其正向压降典型值为1.5V, 在高温或高电压环境下仍能保持较低的导通损耗。 反向漏电流仅为60μA, 体现出优异的阻断特性。 器件可承受高达90A的非重复峰值正向浪涌电流, 适用于对效率和可靠性要求较高的电源转换与高频整流场景。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-220C-2L
库存
24
货期
现货
DSR10F600P-HXY参数
| 封装 | TO-220C-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅二极管 |
|---|---|
| 库存 | 24 |
DSR10F600P-HXY概述
该碳化硅二极管采用独立式结构, 额定正向电流为10A, 最大反向重复电压达650V。 其正向压降典型值为1.5V, 在高温或高电压环境下仍能保持较低的导通损耗。 反向漏电流仅为60μA, 体现出优异的阻断特性。 器件可承受高达90A的非重复峰值正向浪涌电流, 适用于对效率和可靠性要求较高的电源转换与高频整流场景。
DSR10F600P-HXY特性
暂无产品特性。
DSR10F600P-HXY应用领域
暂无应用领域。
