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DSR10F600P-HXY
IC

TO-220C-2L

可供量大可议

DSR10F600P-HXY

该碳化硅二极管采用独立式结构, 额定正向电流为10A, 最大反向重复电压达650V。 其正向压降典型值为1.5V, 在高温或高电压环境下仍能保持较低的导通损耗。 反向漏电流仅为60μA, 体现出优异的阻断特性。 器件可承受高达90A的非重复峰值正向浪涌电流, 适用于对效率和可靠性要求较高的电源转换与高频整流场景。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-220C-2L

库存

24

货期

现货

DSR10F600P-HXY参数

封装TO-220C-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类碳化硅二极管
库存24

DSR10F600P-HXY概述

该碳化硅二极管采用独立式结构, 额定正向电流为10A, 最大反向重复电压达650V。 其正向压降典型值为1.5V, 在高温或高电压环境下仍能保持较低的导通损耗。 反向漏电流仅为60μA, 体现出优异的阻断特性。 器件可承受高达90A的非重复峰值正向浪涌电流, 适用于对效率和可靠性要求较高的电源转换与高频整流场景。

DSR10F600P-HXY特性

暂无产品特性。

DSR10F600P-HXY应用领域

暂无应用领域。

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