DSEP6-06BS-TUB-HXY
IC
TO-252-2L
可供量大可议
DSEP6-06BS-TUB-HXY
该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流为6A, 反向重复峰值电压为650V, 正向压降典型值为1.3V, 反向漏电流低至50μA, 展现出优异的导通效率与阻断能力。 其非重复峰值正向浪涌电流可达48A, 适用于存在瞬态电流冲击的电路环境。 基于碳化硅材料特性, 器件在高频开关条件下仍保持较低损耗和良好热稳定性, 常用于高效电源转换、可再生能源系统及各类对能效和体积有较高要求的电力电子应用中。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-252-2L
库存
48
货期
现货
DSEP6-06BS-TUB-HXY参数
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅二极管 |
|---|---|
| 库存 | 48 |
DSEP6-06BS-TUB-HXY概述
该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流为6A, 反向重复峰值电压为650V, 正向压降典型值为1.3V, 反向漏电流低至50μA, 展现出优异的导通效率与阻断能力。 其非重复峰值正向浪涌电流可达48A, 适用于存在瞬态电流冲击的电路环境。 基于碳化硅材料特性, 器件在高频开关条件下仍保持较低损耗和良好热稳定性, 常用于高效电源转换、可再生能源系统及各类对能效和体积有较高要求的电力电子应用中。
DSEP6-06BS-TUB-HXY特性
暂无产品特性。
DSEP6-06BS-TUB-HXY应用领域
暂无应用领域。
