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DSEP6-06BS-TUB-HXY
IC

TO-252-2L

可供量大可议

DSEP6-06BS-TUB-HXY

该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流为6A, 反向重复峰值电压为650V, 正向压降典型值为1.3V, 反向漏电流低至50μA, 展现出优异的导通效率与阻断能力。 其非重复峰值正向浪涌电流可达48A, 适用于存在瞬态电流冲击的电路环境。 基于碳化硅材料特性, 器件在高频开关条件下仍保持较低损耗和良好热稳定性, 常用于高效电源转换、可再生能源系统及各类对能效和体积有较高要求的电力电子应用中。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-252-2L

库存

48

货期

现货

DSEP6-06BS-TUB-HXY参数

封装TO-252-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类碳化硅二极管
库存48

DSEP6-06BS-TUB-HXY概述

该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流为6A, 反向重复峰值电压为650V, 正向压降典型值为1.3V, 反向漏电流低至50μA, 展现出优异的导通效率与阻断能力。 其非重复峰值正向浪涌电流可达48A, 适用于存在瞬态电流冲击的电路环境。 基于碳化硅材料特性, 器件在高频开关条件下仍保持较低损耗和良好热稳定性, 常用于高效电源转换、可再生能源系统及各类对能效和体积有较高要求的电力电子应用中。

DSEP6-06BS-TUB-HXY特性

暂无产品特性。

DSEP6-06BS-TUB-HXY应用领域

暂无应用领域。

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