DSEP6-06BS-TRL-HXY
IC
TO-252-2L
可供量大可议
DSEP6-06BS-TRL-HXY
该碳化硅二极管为独立式配置, 具有6A的额定正向电流和650V的反向重复峰值电压, 正向导通压降典型值为1.3V, 反向漏电流仅为50μA, 在高电压应用中表现出低损耗特性。 其非重复浪涌正向电流能力达48A, 可承受短时大电流冲击。 凭借碳化硅材料的物理优势, 该器件在高频、高温环境下仍能维持稳定电气性能, 适用于开关电源、光伏逆变器及各类高效电力转换系统中的整流与续流环节。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-252-2L
库存
48
货期
现货
DSEP6-06BS-TRL-HXY参数
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅二极管 |
|---|---|
| 库存 | 48 |
DSEP6-06BS-TRL-HXY概述
该碳化硅二极管为独立式配置, 具有6A的额定正向电流和650V的反向重复峰值电压, 正向导通压降典型值为1.3V, 反向漏电流仅为50μA, 在高电压应用中表现出低损耗特性。 其非重复浪涌正向电流能力达48A, 可承受短时大电流冲击。 凭借碳化硅材料的物理优势, 该器件在高频、高温环境下仍能维持稳定电气性能, 适用于开关电源、光伏逆变器及各类高效电力转换系统中的整流与续流环节。
DSEP6-06BS-TRL-HXY特性
暂无产品特性。
DSEP6-06BS-TRL-HXY应用领域
暂无应用领域。
