DSEP6-06AS-TUB-HXY
IC
TO-252-2L
可供量大可议
DSEP6-06AS-TUB-HXY
该碳化硅二极管为独立式结构, 具有6A的正向电流能力, 反向重复峰值电压为650V, 正向导通压降典型值为1.3V, 反向漏电流为50μA。 器件可承受高达48A的非重复峰值正向浪涌电流, 展现出良好的瞬态耐受能力。 凭借碳化硅材料特性, 其在高频工作条件下仍能保持较低的开关损耗和稳定的电气性能, 适用于高效率、高频率的电源转换及电力电子应用场合。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-252-2L
库存
48
货期
现货
DSEP6-06AS-TUB-HXY参数
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅二极管 |
|---|---|
| 库存 | 48 |
DSEP6-06AS-TUB-HXY概述
该碳化硅二极管为独立式结构, 具有6A的正向电流能力, 反向重复峰值电压为650V, 正向导通压降典型值为1.3V, 反向漏电流为50μA。 器件可承受高达48A的非重复峰值正向浪涌电流, 展现出良好的瞬态耐受能力。 凭借碳化硅材料特性, 其在高频工作条件下仍能保持较低的开关损耗和稳定的电气性能, 适用于高效率、高频率的电源转换及电力电子应用场合。
DSEP6-06AS-TUB-HXY特性
暂无产品特性。
DSEP6-06AS-TUB-HXY应用领域
暂无应用领域。
