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DSEP6-06AS-TUB-HXY
IC

TO-252-2L

可供量大可议

DSEP6-06AS-TUB-HXY

该碳化硅二极管为独立式结构, 具有6A的正向电流能力, 反向重复峰值电压为650V, 正向导通压降典型值为1.3V, 反向漏电流为50μA。 器件可承受高达48A的非重复峰值正向浪涌电流, 展现出良好的瞬态耐受能力。 凭借碳化硅材料特性, 其在高频工作条件下仍能保持较低的开关损耗和稳定的电气性能, 适用于高效率、高频率的电源转换及电力电子应用场合。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-252-2L

库存

48

货期

现货

DSEP6-06AS-TUB-HXY参数

封装TO-252-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类碳化硅二极管
库存48

DSEP6-06AS-TUB-HXY概述

该碳化硅二极管为独立式结构, 具有6A的正向电流能力, 反向重复峰值电压为650V, 正向导通压降典型值为1.3V, 反向漏电流为50μA。 器件可承受高达48A的非重复峰值正向浪涌电流, 展现出良好的瞬态耐受能力。 凭借碳化硅材料特性, 其在高频工作条件下仍能保持较低的开关损耗和稳定的电气性能, 适用于高效率、高频率的电源转换及电力电子应用场合。

DSEP6-06AS-TUB-HXY特性

暂无产品特性。

DSEP6-06AS-TUB-HXY应用领域

暂无应用领域。

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