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DSEP6-06AS-TRL-HXY
IC

TO-252-2L

可供量大可议

DSEP6-06AS-TRL-HXY

该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流为6A, 最大反向重复电压达650V, 正向压降低至1.3V, 反向漏电流典型值为50μA, 具备优异的导通与阻断特性。 其非重复峰值正向浪涌电流能力为48A, 适用于对效率和热性能要求较高的高频开关场景。 器件利用碳化硅材料优势, 在维持高耐压的同时显著降低开关损耗, 适合用于高密度电源转换及高效能电力电子系统中。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-252-2L

库存

48

货期

现货

DSEP6-06AS-TRL-HXY参数

封装TO-252-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类碳化硅二极管
库存48

DSEP6-06AS-TRL-HXY概述

该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流为6A, 最大反向重复电压达650V, 正向压降低至1.3V, 反向漏电流典型值为50μA, 具备优异的导通与阻断特性。 其非重复峰值正向浪涌电流能力为48A, 适用于对效率和热性能要求较高的高频开关场景。 器件利用碳化硅材料优势, 在维持高耐压的同时显著降低开关损耗, 适合用于高密度电源转换及高效能电力电子系统中。

DSEP6-06AS-TRL-HXY特性

暂无产品特性。

DSEP6-06AS-TRL-HXY应用领域

暂无应用领域。

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