DSEI8-06A-HXY
IC
TO-220C-2L
可供量大可议
DSEI8-06A-HXY
该快恢复/高效率二极管采用独立式配置, 额定正向电流为8A, 最大反向重复峰值电压为600V, 正向导通压降为1.5V, 反向漏电流低至10μA, 展现出良好的阻断特性。 器件可承受高达100A的非重复浪涌正向电流, 适用于对开关速度和能效要求较高的电源转换与整流应用。 其快速恢复特性有助于减少反向恢复损耗, 提升系统整体效率, 并在高频工作条件下保持稳定性能。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-220C-2L
库存
22
货期
现货
DSEI8-06A-HXY参数
| 封装 | TO-220C-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 快恢复/高效率二极管 |
|---|---|
| 库存 | 22 |
DSEI8-06A-HXY概述
该快恢复/高效率二极管采用独立式配置, 额定正向电流为8A, 最大反向重复峰值电压为600V, 正向导通压降为1.5V, 反向漏电流低至10μA, 展现出良好的阻断特性。 器件可承受高达100A的非重复浪涌正向电流, 适用于对开关速度和能效要求较高的电源转换与整流应用。 其快速恢复特性有助于减少反向恢复损耗, 提升系统整体效率, 并在高频工作条件下保持稳定性能。
DSEI8-06A-HXY特性
暂无产品特性。
DSEI8-06A-HXY应用领域
暂无应用领域。
