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DSEI8-06A-HXY
IC

TO-220C-2L

可供量大可议

DSEI8-06A-HXY

该快恢复/高效率二极管采用独立式配置, 额定正向电流为8A, 最大反向重复峰值电压为600V, 正向导通压降为1.5V, 反向漏电流低至10μA, 展现出良好的阻断特性。 器件可承受高达100A的非重复浪涌正向电流, 适用于对开关速度和能效要求较高的电源转换与整流应用。 其快速恢复特性有助于减少反向恢复损耗, 提升系统整体效率, 并在高频工作条件下保持稳定性能。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-220C-2L

库存

22

货期

现货

DSEI8-06A-HXY参数

封装TO-220C-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类快恢复/高效率二极管
库存22

DSEI8-06A-HXY概述

该快恢复/高效率二极管采用独立式配置, 额定正向电流为8A, 最大反向重复峰值电压为600V, 正向导通压降为1.5V, 反向漏电流低至10μA, 展现出良好的阻断特性。 器件可承受高达100A的非重复浪涌正向电流, 适用于对开关速度和能效要求较高的电源转换与整流应用。 其快速恢复特性有助于减少反向恢复损耗, 提升系统整体效率, 并在高频工作条件下保持稳定性能。

DSEI8-06A-HXY特性

暂无产品特性。

DSEI8-06A-HXY应用领域

暂无应用领域。

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