DSEI2X30-06C-HXY
IC
SOT-227
可供量大可议
DSEI2X30-06C-HXY
该碳化硅二极管具有250A的正向电流(IF)和650V的反向重复峰值电压(VR), 正向压降(VF)为1.4V, 反向漏电流(IR)仅为100μA, 展现出低导通损耗与高阻断性能。 其浪涌正向电流(IFSM)可达600A, 适用于高频开关、高效率电源转换及对热管理要求较高的电力电子系统, 在需要快速恢复特性和稳定运行的场合中表现优异。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOT-227
库存
13
货期
现货
DSEI2X30-06C-HXY参数
| 封装 | SOT-227 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅二极管 |
|---|---|
| 库存 | 13 |
DSEI2X30-06C-HXY概述
该碳化硅二极管具有250A的正向电流(IF)和650V的反向重复峰值电压(VR), 正向压降(VF)为1.4V, 反向漏电流(IR)仅为100μA, 展现出低导通损耗与高阻断性能。 其浪涌正向电流(IFSM)可达600A, 适用于高频开关、高效率电源转换及对热管理要求较高的电力电子系统, 在需要快速恢复特性和稳定运行的场合中表现优异。
DSEI2X30-06C-HXY特性
暂无产品特性。
DSEI2X30-06C-HXY应用领域
暂无应用领域。
