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DSEI2X30-06C-HXY
IC

SOT-227

可供量大可议

DSEI2X30-06C-HXY

该碳化硅二极管具有250A的正向电流(IF)和650V的反向重复峰值电压(VR), 正向压降(VF)为1.4V, 反向漏电流(IR)仅为100μA, 展现出低导通损耗与高阻断性能。 其浪涌正向电流(IFSM)可达600A, 适用于高频开关、高效率电源转换及对热管理要求较高的电力电子系统, 在需要快速恢复特性和稳定运行的场合中表现优异。

品牌

HXY MOSFET

封装

SOT-227

库存

13

货期

现货

DSEI2X30-06C-HXY参数

封装SOT-227
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类碳化硅二极管
库存13

DSEI2X30-06C-HXY概述

该碳化硅二极管具有250A的正向电流(IF)和650V的反向重复峰值电压(VR), 正向压降(VF)为1.4V, 反向漏电流(IR)仅为100μA, 展现出低导通损耗与高阻断性能。 其浪涌正向电流(IFSM)可达600A, 适用于高频开关、高效率电源转换及对热管理要求较高的电力电子系统, 在需要快速恢复特性和稳定运行的场合中表现优异。

DSEI2X30-06C-HXY特性

暂无产品特性。

DSEI2X30-06C-HXY应用领域

暂无应用领域。

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