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DSC1101CE2-100.0000T
IC

VDFN-6(2.5x3.2)

可供量大可议

DSC1101CE2-100.0000T

高性能振荡器采用成熟的硅MEMS技术, 可在宽范围的电源电压和温度下提供出色的抖动和稳定性。 通过消除对石英或SAW技术的需求, MEMS振荡器显著提高了可靠性并加速了产品开发, 同时满足各种通信、存储和网络应用的严格时钟性能标准。 DSC1101具有待机功能, 当EN引脚拉低时可完全断电; 而DSC1121在EN为低电平时仅禁用输出。 两种振荡器均采用行业标准封装, 包括小型2.5mm×2.0mm封装, 可直接替代标准4引脚CMOS石英晶体振荡器。

品牌

MICROCHIP

封装

VDFN-6(2.5x3.2)

库存

100

货期

现货

DSC1101CE2-100.0000T参数

封装VDFN-6(2.5x3.2)
品牌MICROCHIP(美国微芯)
MOQ / SPQ1 / 1
分类有源晶振
库存100

DSC1101CE2-100.0000T概述

高性能振荡器采用成熟的硅MEMS技术, 可在宽范围的电源电压和温度下提供出色的抖动和稳定性。 通过消除对石英或SAW技术的需求, MEMS振荡器显著提高了可靠性并加速了产品开发, 同时满足各种通信、存储和网络应用的严格时钟性能标准。 DSC1101具有待机功能, 当EN引脚拉低时可完全断电; 而DSC1121在EN为低电平时仅禁用输出。 两种振荡器均采用行业标准封装, 包括小型2.5mm×2.0mm封装, 可直接替代标准4引脚CMOS石英晶体振荡器。

DSC1101CE2-100.0000T特性

暂无产品特性。

DSC1101CE2-100.0000T应用领域

暂无应用领域。

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