DSC10A065LP-13-HXY
IC
DFN-5B(8x8)
可供量大可议
DSC10A065LP-13-HXY
该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流为10A, 反向重复峰值电压为650V, 典型正向压降为1.37V, 并能承受高达80A的非重复浪涌正向电流。 得益于碳化硅材料的特性, 器件在高频开关条件下展现出低导通损耗与快速恢复能力, 适用于高效率、高功率密度的电源系统, 如通信设备电源、服务器供电模块及各类开关电源中的整流应用, 有助于提升系统整体能效与热管理性能。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN-5B(8x8)
库存
50
货期
现货
DSC10A065LP-13-HXY参数
| 封装 | DFN-5B(8x8) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅二极管 |
|---|---|
| 库存 | 50 |
DSC10A065LP-13-HXY概述
该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流为10A, 反向重复峰值电压为650V, 典型正向压降为1.37V, 并能承受高达80A的非重复浪涌正向电流。 得益于碳化硅材料的特性, 器件在高频开关条件下展现出低导通损耗与快速恢复能力, 适用于高效率、高功率密度的电源系统, 如通信设备电源、服务器供电模块及各类开关电源中的整流应用, 有助于提升系统整体能效与热管理性能。
DSC10A065LP-13-HXY特性
暂无产品特性。
DSC10A065LP-13-HXY应用领域
暂无应用领域。
