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DSC10065D1-HXY
IC

TO-252-2L

可供量大可议

DSC10065D1-HXY

该碳化硅二极管采用独立式结构, 额定正向电流为10A, 最大反向重复电压达650V, 正向压降低至1.3V, 反向漏电流仅为50μA, 具备优异的导通与阻断特性。 其非重复峰值正向浪涌电流能力为80A, 适用于对效率和热性能要求较高的高频开关场景。 器件利用碳化硅材料优势, 在保持低损耗的同时提升系统整体响应速度与稳定性, 适合用于高密度电源转换及高性能电力电子模块中。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-252-2L

库存

50

货期

现货

DSC10065D1-HXY参数

封装TO-252-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类碳化硅二极管
库存50

DSC10065D1-HXY概述

该碳化硅二极管采用独立式结构, 额定正向电流为10A, 最大反向重复电压达650V, 正向压降低至1.3V, 反向漏电流仅为50μA, 具备优异的导通与阻断特性。 其非重复峰值正向浪涌电流能力为80A, 适用于对效率和热性能要求较高的高频开关场景。 器件利用碳化硅材料优势, 在保持低损耗的同时提升系统整体响应速度与稳定性, 适合用于高密度电源转换及高性能电力电子模块中。

DSC10065D1-HXY特性

暂无产品特性。

DSC10065D1-HXY应用领域

暂无应用领域。

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