DSC10065D1-HXY
IC
TO-252-2L
可供量大可议
DSC10065D1-HXY
该碳化硅二极管采用独立式结构, 额定正向电流为10A, 最大反向重复电压达650V, 正向压降低至1.3V, 反向漏电流仅为50μA, 具备优异的导通与阻断特性。 其非重复峰值正向浪涌电流能力为80A, 适用于对效率和热性能要求较高的高频开关场景。 器件利用碳化硅材料优势, 在保持低损耗的同时提升系统整体响应速度与稳定性, 适合用于高密度电源转换及高性能电力电子模块中。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-252-2L
库存
50
货期
现货
DSC10065D1-HXY参数
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅二极管 |
|---|---|
| 库存 | 50 |
DSC10065D1-HXY概述
该碳化硅二极管采用独立式结构, 额定正向电流为10A, 最大反向重复电压达650V, 正向压降低至1.3V, 反向漏电流仅为50μA, 具备优异的导通与阻断特性。 其非重复峰值正向浪涌电流能力为80A, 适用于对效率和热性能要求较高的高频开关场景。 器件利用碳化硅材料优势, 在保持低损耗的同时提升系统整体响应速度与稳定性, 适合用于高密度电源转换及高性能电力电子模块中。
DSC10065D1-HXY特性
暂无产品特性。
DSC10065D1-HXY应用领域
暂无应用领域。
