DSC08C065FP-HXY
IC
TO-220F-2L
可供量大可议
DSC08C065FP-HXY
该碳化硅二极管采用独立式配置, 具备8A的正向电流(IF)和650V的反向重复峰值电压(VR), 正向压降低至1.4V, 有助于减少导通损耗, 提升系统能效。 基于碳化硅材料的特性, 该器件支持高频开关操作, 反向恢复时间极短, 可有效降低开关损耗, 适用于高效率电源转换场景。 其优异的热稳定性可支持紧凑型散热设计, 广泛用于服务器电源、通信设备电源单元及高密度功率变换模块中, 是实现高功率密度与高可靠性设计的优选器件之一。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-220F-2L
库存
24
货期
现货
DSC08C065FP-HXY参数
| 封装 | TO-220F-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅二极管 |
|---|---|
| 库存 | 24 |
DSC08C065FP-HXY概述
该碳化硅二极管采用独立式配置, 具备8A的正向电流(IF)和650V的反向重复峰值电压(VR), 正向压降低至1.4V, 有助于减少导通损耗, 提升系统能效。 基于碳化硅材料的特性, 该器件支持高频开关操作, 反向恢复时间极短, 可有效降低开关损耗, 适用于高效率电源转换场景。 其优异的热稳定性可支持紧凑型散热设计, 广泛用于服务器电源、通信设备电源单元及高密度功率变换模块中, 是实现高功率密度与高可靠性设计的优选器件之一。
DSC08C065FP-HXY特性
暂无产品特性。
DSC08C065FP-HXY应用领域
暂无应用领域。
