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DSC08C065FP-HXY
IC

TO-220F-2L

可供量大可议

DSC08C065FP-HXY

该碳化硅二极管采用独立式配置, 具备8A的正向电流(IF)和650V的反向重复峰值电压(VR), 正向压降低至1.4V, 有助于减少导通损耗, 提升系统能效。 基于碳化硅材料的特性, 该器件支持高频开关操作, 反向恢复时间极短, 可有效降低开关损耗, 适用于高效率电源转换场景。 其优异的热稳定性可支持紧凑型散热设计, 广泛用于服务器电源、通信设备电源单元及高密度功率变换模块中, 是实现高功率密度与高可靠性设计的优选器件之一。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-220F-2L

库存

24

货期

现货

DSC08C065FP-HXY参数

封装TO-220F-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类碳化硅二极管
库存24

DSC08C065FP-HXY概述

该碳化硅二极管采用独立式配置, 具备8A的正向电流(IF)和650V的反向重复峰值电压(VR), 正向压降低至1.4V, 有助于减少导通损耗, 提升系统能效。 基于碳化硅材料的特性, 该器件支持高频开关操作, 反向恢复时间极短, 可有效降低开关损耗, 适用于高效率电源转换场景。 其优异的热稳定性可支持紧凑型散热设计, 广泛用于服务器电源、通信设备电源单元及高密度功率变换模块中, 是实现高功率密度与高可靠性设计的优选器件之一。

DSC08C065FP-HXY特性

暂无产品特性。

DSC08C065FP-HXY应用领域

暂无应用领域。

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