DSC08C065-HXY
IC
TO-220C-2L
可供量大可议
DSC08C065-HXY
该碳化硅二极管采用独立式配置, 正向电流(IF)为8A, 反向重复峰值电压(VR)达650V, 适用于高电压工作环境。 其正向压降(VF)为1.38V, 在导通状态下有助于降低功耗; 器件可承受高达88A的非重复浪涌正向电流(IFSM), 展现出良好的瞬态耐受能力。 基于碳化硅材料特性, 该二极管在高频开关及高温条件下仍能维持稳定电气性能, 适合用于对效率和可靠性有较高要求的电源转换系统。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-220C-2L
库存
24
货期
现货
DSC08C065-HXY参数
| 封装 | TO-220C-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅二极管 |
|---|---|
| 库存 | 24 |
DSC08C065-HXY概述
该碳化硅二极管采用独立式配置, 正向电流(IF)为8A, 反向重复峰值电压(VR)达650V, 适用于高电压工作环境。 其正向压降(VF)为1.38V, 在导通状态下有助于降低功耗; 器件可承受高达88A的非重复浪涌正向电流(IFSM), 展现出良好的瞬态耐受能力。 基于碳化硅材料特性, 该二极管在高频开关及高温条件下仍能维持稳定电气性能, 适合用于对效率和可靠性有较高要求的电源转换系统。
DSC08C065-HXY特性
暂无产品特性。
DSC08C065-HXY应用领域
暂无应用领域。
