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DSC08C065-HXY
IC

TO-220C-2L

可供量大可议

DSC08C065-HXY

该碳化硅二极管采用独立式配置, 正向电流(IF)为8A, 反向重复峰值电压(VR)达650V, 适用于高电压工作环境。 其正向压降(VF)为1.38V, 在导通状态下有助于降低功耗; 器件可承受高达88A的非重复浪涌正向电流(IFSM), 展现出良好的瞬态耐受能力。 基于碳化硅材料特性, 该二极管在高频开关及高温条件下仍能维持稳定电气性能, 适合用于对效率和可靠性有较高要求的电源转换系统。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-220C-2L

库存

24

货期

现货

DSC08C065-HXY参数

封装TO-220C-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类碳化硅二极管
库存24

DSC08C065-HXY概述

该碳化硅二极管采用独立式配置, 正向电流(IF)为8A, 反向重复峰值电压(VR)达650V, 适用于高电压工作环境。 其正向压降(VF)为1.38V, 在导通状态下有助于降低功耗; 器件可承受高达88A的非重复浪涌正向电流(IFSM), 展现出良好的瞬态耐受能力。 基于碳化硅材料特性, 该二极管在高频开关及高温条件下仍能维持稳定电气性能, 适合用于对效率和可靠性有较高要求的电源转换系统。

DSC08C065-HXY特性

暂无产品特性。

DSC08C065-HXY应用领域

暂无应用领域。

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