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DSC08A065LP-13-HXY
IC

DFN-5B(8x8)

可供量大可议

DSC08A065LP-13-HXY

该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流IF为8A, 最大反向重复电压VR达650V, 正向压降VF典型值为1.42V, 具备较低的导通损耗。 器件可承受60A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 在高频开关应用中表现出优异的动态性能和热稳定性。 适用于高效率电源转换、开关模式整流及对能效与响应速度有较高要求的电子系统。

Brand

HXY MOSFET

Package

DFN-5B(8x8)

Stock

49

货期

现货

DSC08A065LP-13-HXYParameters

封装DFN-5B(8x8)
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类碳化硅二极管
库存49

DSC08A065LP-13-HXY概述

该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流IF为8A, 最大反向重复电压VR达650V, 正向压降VF典型值为1.42V, 具备较低的导通损耗。 器件可承受60A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 在高频开关应用中表现出优异的动态性能和热稳定性。 适用于高效率电源转换、开关模式整流及对能效与响应速度有较高要求的电子系统。

DSC08A065LP-13-HXY特性

暂无产品特性。

DSC08A065LP-13-HXY应用领域

暂无应用领域。

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