DSC08A065LP-13-HXY
IC
DFN-5B(8x8)
可供量大可议
DSC08A065LP-13-HXY
该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流IF为8A, 最大反向重复电压VR达650V, 正向压降VF典型值为1.42V, 具备较低的导通损耗。 器件可承受60A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 在高频开关应用中表现出优异的动态性能和热稳定性。 适用于高效率电源转换、开关模式整流及对能效与响应速度有较高要求的电子系统。
Brand
HXY MOSFET
Package
DFN-5B(8x8)
Stock
49
货期
现货
DSC08A065LP-13-HXYParameters
| 封装 | DFN-5B(8x8) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅二极管 |
|---|---|
| 库存 | 49 |
DSC08A065LP-13-HXY概述
该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流IF为8A, 最大反向重复电压VR达650V, 正向压降VF典型值为1.42V, 具备较低的导通损耗。 器件可承受60A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 在高频开关应用中表现出优异的动态性能和热稳定性。 适用于高效率电源转换、开关模式整流及对能效与响应速度有较高要求的电子系统。
DSC08A065LP-13-HXY特性
暂无产品特性。
DSC08A065LP-13-HXY应用领域
暂无应用领域。
