DSC08A065-HXY
IC
TO-220C-2L
可供量大可议
DSC08A065-HXY
该碳化硅二极管采用独立式结构, 额定正向电流为8A, 最大反向重复峰值电压达650V, 正向导通压降典型值为1.38V, 具备优异的导通特性。 其非重复浪涌正向电流能力高达88A, 可有效应对瞬态过流工况。 器件利用碳化硅材料的高热导率与低开关损耗优势, 在高频、高温环境下保持稳定性能, 适用于对效率和可靠性要求较高的电源转换及功率因数校正等应用场景。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-220C-2L
库存
24
货期
现货
DSC08A065-HXY参数
| 封装 | TO-220C-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅二极管 |
|---|---|
| 库存 | 24 |
DSC08A065-HXY概述
该碳化硅二极管采用独立式结构, 额定正向电流为8A, 最大反向重复峰值电压达650V, 正向导通压降典型值为1.38V, 具备优异的导通特性。 其非重复浪涌正向电流能力高达88A, 可有效应对瞬态过流工况。 器件利用碳化硅材料的高热导率与低开关损耗优势, 在高频、高温环境下保持稳定性能, 适用于对效率和可靠性要求较高的电源转换及功率因数校正等应用场景。
DSC08A065-HXY特性
暂无产品特性。
DSC08A065-HXY应用领域
暂无应用领域。
