DSC08065D1-HXY
IC
TO-252-2L
可供量大可议
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该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流IF为8A, 最大反向重复电压VR为650V。 其正向压降VF低至1.3V, 有助于降低导通损耗; 器件可承受64A的非重复浪涌正向电流(IFSM), 具备良好的瞬态耐受能力。 得益于碳化硅材料特性, 该二极管在高频开关应用中表现出快速恢复和高效率, 适用于对能效和热管理有较高要求的电源转换、整流及功率因数校正等电路。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-252-2L
库存
49
货期
现货
DSC08065D1-HXY参数
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅二极管 |
|---|---|
| 库存 | 49 |
DSC08065D1-HXY概述
该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流IF为8A, 最大反向重复电压VR为650V。 其正向压降VF低至1.3V, 有助于降低导通损耗; 器件可承受64A的非重复浪涌正向电流(IFSM), 具备良好的瞬态耐受能力。 得益于碳化硅材料特性, 该二极管在高频开关应用中表现出快速恢复和高效率, 适用于对能效和热管理有较高要求的电源转换、整流及功率因数校正等电路。
DSC08065D1-HXY特性
暂无产品特性。
DSC08065D1-HXY应用领域
暂无应用领域。
