库存与价格 最近更新:2026年10月8日 02:13(北京时间)
WMiC电子元器件采购平台
热门搜索型号:
DSC08065D1-HXY
IC

TO-252-2L

可供量大可议

DSC08065D1-HXY

该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流IF为8A, 最大反向重复电压VR为650V。 其正向压降VF低至1.3V, 有助于降低导通损耗; 器件可承受64A的非重复浪涌正向电流(IFSM), 具备良好的瞬态耐受能力。 得益于碳化硅材料特性, 该二极管在高频开关应用中表现出快速恢复和高效率, 适用于对能效和热管理有较高要求的电源转换、整流及功率因数校正等电路。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-252-2L

库存

49

货期

现货

DSC08065D1-HXY参数

封装TO-252-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类碳化硅二极管
库存49

DSC08065D1-HXY概述

该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流IF为8A, 最大反向重复电压VR为650V。 其正向压降VF低至1.3V, 有助于降低导通损耗; 器件可承受64A的非重复浪涌正向电流(IFSM), 具备良好的瞬态耐受能力。 得益于碳化硅材料特性, 该二极管在高频开关应用中表现出快速恢复和高效率, 适用于对能效和热管理有较高要求的电源转换、整流及功率因数校正等电路。

DSC08065D1-HXY特性

暂无产品特性。

DSC08065D1-HXY应用领域

暂无应用领域。

商务邮箱 / Email

sales@womaielec.com

点击发送邮件