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DSC08065-HXY
IC

TO-220C-2L

可供量大可议

DSC08065-HXY

该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流(IF)为8A, 最大反向重复电压(VR)达650V, 正向压降(VF)典型值为1.38V, 在浪涌条件下可承受高达88A的非重复峰值正向电流(IFSM)。 器件利用碳化硅材料特性, 在高频及高温工作环境中展现出优异的开关性能与热稳定性, 适用于对效率和功率密度有较高要求的电源转换系统。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-220C-2L

库存

24

货期

现货

DSC08065-HXY参数

封装TO-220C-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类碳化硅二极管
库存24

DSC08065-HXY概述

该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流(IF)为8A, 最大反向重复电压(VR)达650V, 正向压降(VF)典型值为1.38V, 在浪涌条件下可承受高达88A的非重复峰值正向电流(IFSM)。 器件利用碳化硅材料特性, 在高频及高温工作环境中展现出优异的开关性能与热稳定性, 适用于对效率和功率密度有较高要求的电源转换系统。

DSC08065-HXY特性

暂无产品特性。

DSC08065-HXY应用领域

暂无应用领域。

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