DSC08065-HXY
IC
TO-220C-2L
可供量大可议
DSC08065-HXY
该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流(IF)为8A, 最大反向重复电压(VR)达650V, 正向压降(VF)典型值为1.38V, 在浪涌条件下可承受高达88A的非重复峰值正向电流(IFSM)。 器件利用碳化硅材料特性, 在高频及高温工作环境中展现出优异的开关性能与热稳定性, 适用于对效率和功率密度有较高要求的电源转换系统。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-220C-2L
库存
24
货期
现货
DSC08065-HXY参数
| 封装 | TO-220C-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅二极管 |
|---|---|
| 库存 | 24 |
DSC08065-HXY概述
该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流(IF)为8A, 最大反向重复电压(VR)达650V, 正向压降(VF)典型值为1.38V, 在浪涌条件下可承受高达88A的非重复峰值正向电流(IFSM)。 器件利用碳化硅材料特性, 在高频及高温工作环境中展现出优异的开关性能与热稳定性, 适用于对效率和功率密度有较高要求的电源转换系统。
DSC08065-HXY特性
暂无产品特性。
DSC08065-HXY应用领域
暂无应用领域。
