DSC06C065D1-13-HXY
IC
TO-252-2L
可供量大可议
DSC06C065D1-13-HXY
该碳化硅二极管为独立式结构, 额定正向电流(IF)为6A, 最大反向重复电压(VR)达650V, 典型正向压降(VF)为1.3V, 反向漏电流(IR)仅为50μA, 表现出优异的导通效率与阻断能力。 其非重复浪涌正向电流(IFSM)为48A, 适用于高频率、高效率要求的电源转换场合。 凭借碳化硅材料特性, 器件在开关过程中几乎无反向恢复电荷, 有助于降低系统损耗并提升整体运行稳定性。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-252-2L
库存
46
货期
现货
DSC06C065D1-13-HXY参数
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅二极管 |
|---|---|
| 库存 | 46 |
DSC06C065D1-13-HXY概述
该碳化硅二极管为独立式结构, 额定正向电流(IF)为6A, 最大反向重复电压(VR)达650V, 典型正向压降(VF)为1.3V, 反向漏电流(IR)仅为50μA, 表现出优异的导通效率与阻断能力。 其非重复浪涌正向电流(IFSM)为48A, 适用于高频率、高效率要求的电源转换场合。 凭借碳化硅材料特性, 器件在开关过程中几乎无反向恢复电荷, 有助于降低系统损耗并提升整体运行稳定性。
DSC06C065D1-13-HXY特性
暂无产品特性。
DSC06C065D1-13-HXY应用领域
暂无应用领域。
