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DSC06C065D1-13-HXY
IC

TO-252-2L

可供量大可议

DSC06C065D1-13-HXY

该碳化硅二极管为独立式结构, 额定正向电流(IF)为6A, 最大反向重复电压(VR)达650V, 典型正向压降(VF)为1.3V, 反向漏电流(IR)仅为50μA, 表现出优异的导通效率与阻断能力。 其非重复浪涌正向电流(IFSM)为48A, 适用于高频率、高效率要求的电源转换场合。 凭借碳化硅材料特性, 器件在开关过程中几乎无反向恢复电荷, 有助于降低系统损耗并提升整体运行稳定性。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-252-2L

库存

46

货期

现货

DSC06C065D1-13-HXY参数

封装TO-252-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类碳化硅二极管
库存46

DSC06C065D1-13-HXY概述

该碳化硅二极管为独立式结构, 额定正向电流(IF)为6A, 最大反向重复电压(VR)达650V, 典型正向压降(VF)为1.3V, 反向漏电流(IR)仅为50μA, 表现出优异的导通效率与阻断能力。 其非重复浪涌正向电流(IFSM)为48A, 适用于高频率、高效率要求的电源转换场合。 凭借碳化硅材料特性, 器件在开关过程中几乎无反向恢复电荷, 有助于降低系统损耗并提升整体运行稳定性。

DSC06C065D1-13-HXY特性

暂无产品特性。

DSC06C065D1-13-HXY应用领域

暂无应用领域。

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