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DSC06C065-HXY
IC

TO-220C-2L

可供量大可议

DSC06C065-HXY

该碳化硅二极管为独立式器件, 具备6A的正向电流(IF)和650V的反向重复电压(VR), 正向压降(VF)为1.68V。 基于碳化硅半导体材料, 该二极管具有优异的耐高温性能和快速开关特性, 反向恢复电荷极低, 可显著降低开关损耗。 适用于高频率、高效率的电力转换电路, 如高性能电源适配器、服务器电源模块、可再生能源逆变装置及储能系统中的整流与续流应用。 其高可靠性和紧凑设计有助于提升系统功率密度与整体能效水平。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-220C-2L

库存

24

货期

现货

DSC06C065-HXY参数

封装TO-220C-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类碳化硅二极管
库存24

DSC06C065-HXY概述

该碳化硅二极管为独立式器件, 具备6A的正向电流(IF)和650V的反向重复电压(VR), 正向压降(VF)为1.68V。 基于碳化硅半导体材料, 该二极管具有优异的耐高温性能和快速开关特性, 反向恢复电荷极低, 可显著降低开关损耗。 适用于高频率、高效率的电力转换电路, 如高性能电源适配器、服务器电源模块、可再生能源逆变装置及储能系统中的整流与续流应用。 其高可靠性和紧凑设计有助于提升系统功率密度与整体能效水平。

DSC06C065-HXY特性

暂无产品特性。

DSC06C065-HXY应用领域

暂无应用领域。

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