DSC06C065-HXY
IC
TO-220C-2L
可供量大可议
DSC06C065-HXY
该碳化硅二极管为独立式器件, 具备6A的正向电流(IF)和650V的反向重复电压(VR), 正向压降(VF)为1.68V。 基于碳化硅半导体材料, 该二极管具有优异的耐高温性能和快速开关特性, 反向恢复电荷极低, 可显著降低开关损耗。 适用于高频率、高效率的电力转换电路, 如高性能电源适配器、服务器电源模块、可再生能源逆变装置及储能系统中的整流与续流应用。 其高可靠性和紧凑设计有助于提升系统功率密度与整体能效水平。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-220C-2L
库存
24
货期
现货
DSC06C065-HXY参数
| 封装 | TO-220C-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅二极管 |
|---|---|
| 库存 | 24 |
DSC06C065-HXY概述
该碳化硅二极管为独立式器件, 具备6A的正向电流(IF)和650V的反向重复电压(VR), 正向压降(VF)为1.68V。 基于碳化硅半导体材料, 该二极管具有优异的耐高温性能和快速开关特性, 反向恢复电荷极低, 可显著降低开关损耗。 适用于高频率、高效率的电力转换电路, 如高性能电源适配器、服务器电源模块、可再生能源逆变装置及储能系统中的整流与续流应用。 其高可靠性和紧凑设计有助于提升系统功率密度与整体能效水平。
DSC06C065-HXY特性
暂无产品特性。
DSC06C065-HXY应用领域
暂无应用领域。
