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DSC06A065LP-13-HXY
IC

DFN-5B(8x8)

可供量大可议

DSC06A065LP-13-HXY

该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流(IF)为6A, 最大反向重复电压(VR)为650V, 典型正向压降(VF)为1.32V, 可承受高达60A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM)。 得益于碳化硅材料的物理特性, 器件具有快速开关响应、低导通损耗和良好的高温稳定性, 适用于高效率电源转换及对热性能要求较高的电力电子系统。

品牌

HXY MOSFET

封装

DFN-5B(8x8)

库存

49

货期

现货

DSC06A065LP-13-HXY参数

封装DFN-5B(8x8)
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类碳化硅二极管
库存49

DSC06A065LP-13-HXY概述

该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流(IF)为6A, 最大反向重复电压(VR)为650V, 典型正向压降(VF)为1.32V, 可承受高达60A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM)。 得益于碳化硅材料的物理特性, 器件具有快速开关响应、低导通损耗和良好的高温稳定性, 适用于高效率电源转换及对热性能要求较高的电力电子系统。

DSC06A065LP-13-HXY特性

暂无产品特性。

DSC06A065LP-13-HXY应用领域

暂无应用领域。

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