DSC06A065LP-13-HXY
IC
DFN-5B(8x8)
可供量大可议
DSC06A065LP-13-HXY
该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流(IF)为6A, 最大反向重复电压(VR)为650V, 典型正向压降(VF)为1.32V, 可承受高达60A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM)。 得益于碳化硅材料的物理特性, 器件具有快速开关响应、低导通损耗和良好的高温稳定性, 适用于高效率电源转换及对热性能要求较高的电力电子系统。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN-5B(8x8)
库存
49
货期
现货
DSC06A065LP-13-HXY参数
| 封装 | DFN-5B(8x8) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅二极管 |
|---|---|
| 库存 | 49 |
DSC06A065LP-13-HXY概述
该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流(IF)为6A, 最大反向重复电压(VR)为650V, 典型正向压降(VF)为1.32V, 可承受高达60A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM)。 得益于碳化硅材料的物理特性, 器件具有快速开关响应、低导通损耗和良好的高温稳定性, 适用于高效率电源转换及对热性能要求较高的电力电子系统。
DSC06A065LP-13-HXY特性
暂无产品特性。
DSC06A065LP-13-HXY应用领域
暂无应用领域。
