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DSC06A065D1-13-HXY
IC

TO-252-2L

可供量大可议

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该碳化硅二极管采用独立式结构, 额定正向电流(IF)为6A, 反向重复峰值电压(VR)达650V, 适用于中等功率的高效率电源系统。 其正向压降(VF)低至1.36V, 显著降低导通损耗, 提升能量转换效率。 基于碳化硅材料特性, 器件具备快速反向恢复速度和优异的热导性能, 支持高频开关操作。 该二极管可在较高结温下稳定工作, 适用于紧凑型电源设计。 典型应用包括高效AC-DC电源适配器、DC-DC变换器、服务器电源模块及高密度功率因数校正电路等场景。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-252-2L

库存

35

货期

现货

DSC06A065D1-13-HXY参数

封装TO-252-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类碳化硅二极管
库存35

DSC06A065D1-13-HXY概述

该碳化硅二极管采用独立式结构, 额定正向电流(IF)为6A, 反向重复峰值电压(VR)达650V, 适用于中等功率的高效率电源系统。 其正向压降(VF)低至1.36V, 显著降低导通损耗, 提升能量转换效率。 基于碳化硅材料特性, 器件具备快速反向恢复速度和优异的热导性能, 支持高频开关操作。 该二极管可在较高结温下稳定工作, 适用于紧凑型电源设计。 典型应用包括高效AC-DC电源适配器、DC-DC变换器、服务器电源模块及高密度功率因数校正电路等场景。

DSC06A065D1-13-HXY特性

暂无产品特性。

DSC06A065D1-13-HXY应用领域

暂无应用领域。

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