DSC06A065D1-13-HXY
IC
TO-252-2L
可供量大可议
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该碳化硅二极管采用独立式结构, 额定正向电流(IF)为6A, 反向重复峰值电压(VR)达650V, 适用于中等功率的高效率电源系统。 其正向压降(VF)低至1.36V, 显著降低导通损耗, 提升能量转换效率。 基于碳化硅材料特性, 器件具备快速反向恢复速度和优异的热导性能, 支持高频开关操作。 该二极管可在较高结温下稳定工作, 适用于紧凑型电源设计。 典型应用包括高效AC-DC电源适配器、DC-DC变换器、服务器电源模块及高密度功率因数校正电路等场景。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-252-2L
库存
35
货期
现货
DSC06A065D1-13-HXY参数
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅二极管 |
|---|---|
| 库存 | 35 |
DSC06A065D1-13-HXY概述
该碳化硅二极管采用独立式结构, 额定正向电流(IF)为6A, 反向重复峰值电压(VR)达650V, 适用于中等功率的高效率电源系统。 其正向压降(VF)低至1.36V, 显著降低导通损耗, 提升能量转换效率。 基于碳化硅材料特性, 器件具备快速反向恢复速度和优异的热导性能, 支持高频开关操作。 该二极管可在较高结温下稳定工作, 适用于紧凑型电源设计。 典型应用包括高效AC-DC电源适配器、DC-DC变换器、服务器电源模块及高密度功率因数校正电路等场景。
DSC06A065D1-13-HXY特性
暂无产品特性。
DSC06A065D1-13-HXY应用领域
暂无应用领域。
