DSC06065D1-HXY
IC
TO-252-2L
可供量大可议
DSC06065D1-HXY
该碳化硅二极管为独立式配置, 额定正向电流(IF)为6A, 最大反向重复峰值电压(VR)达650V, 正向压降(VF)典型值为1.3V, 反向漏电流(IR)低至50μA, 展现出优异的阻断特性与导通效率。 其非重复浪涌正向电流(IFSM)能力为48A, 适用于高频、高效率的电源转换系统, 如开关电源、光伏逆变器及小型化电力模块等场景, 在提升系统整体能效的同时, 有效降低热管理负担。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-252-2L
库存
49
货期
现货
DSC06065D1-HXY参数
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅二极管 |
|---|---|
| 库存 | 49 |
DSC06065D1-HXY概述
该碳化硅二极管为独立式配置, 额定正向电流(IF)为6A, 最大反向重复峰值电压(VR)达650V, 正向压降(VF)典型值为1.3V, 反向漏电流(IR)低至50μA, 展现出优异的阻断特性与导通效率。 其非重复浪涌正向电流(IFSM)能力为48A, 适用于高频、高效率的电源转换系统, 如开关电源、光伏逆变器及小型化电力模块等场景, 在提升系统整体能效的同时, 有效降低热管理负担。
DSC06065D1-HXY特性
暂无产品特性。
DSC06065D1-HXY应用领域
暂无应用领域。
