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DSC06065D1-HXY
IC

TO-252-2L

可供量大可议

DSC06065D1-HXY

该碳化硅二极管为独立式配置, 额定正向电流(IF)为6A, 最大反向重复峰值电压(VR)达650V, 正向压降(VF)典型值为1.3V, 反向漏电流(IR)低至50μA, 展现出优异的阻断特性与导通效率。 其非重复浪涌正向电流(IFSM)能力为48A, 适用于高频、高效率的电源转换系统, 如开关电源、光伏逆变器及小型化电力模块等场景, 在提升系统整体能效的同时, 有效降低热管理负担。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-252-2L

库存

49

货期

现货

DSC06065D1-HXY参数

封装TO-252-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类碳化硅二极管
库存49

DSC06065D1-HXY概述

该碳化硅二极管为独立式配置, 额定正向电流(IF)为6A, 最大反向重复峰值电压(VR)达650V, 正向压降(VF)典型值为1.3V, 反向漏电流(IR)低至50μA, 展现出优异的阻断特性与导通效率。 其非重复浪涌正向电流(IFSM)能力为48A, 适用于高频、高效率的电源转换系统, 如开关电源、光伏逆变器及小型化电力模块等场景, 在提升系统整体能效的同时, 有效降低热管理负担。

DSC06065D1-HXY特性

暂无产品特性。

DSC06065D1-HXY应用领域

暂无应用领域。

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