DSC04C065-HXY
IC
TO-220C-2L
可供量大可议
DSC04C065-HXY
该碳化硅二极管采用独立式配置, 具备4A的正向电流(IF)和650V的反向重复峰值电压(VR), 正向压降(VF)为1.53V。 器件利用碳化硅材料特性, 实现快速开关响应与高工作温度耐受能力, 反向漏电流低, 有助于提升系统转换效率并减少散热负担。 其独立封装结构便于集成于各类高密度电源架构中, 适用于对能效和功率密度要求较高的交流-直流与直流-直流转换场合, 满足高频、高可靠性电力转换应用的技术需求。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-220C-2L
库存
24
货期
现货
DSC04C065-HXY参数
| 封装 | TO-220C-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅二极管 |
|---|---|
| 库存 | 24 |
DSC04C065-HXY概述
该碳化硅二极管采用独立式配置, 具备4A的正向电流(IF)和650V的反向重复峰值电压(VR), 正向压降(VF)为1.53V。 器件利用碳化硅材料特性, 实现快速开关响应与高工作温度耐受能力, 反向漏电流低, 有助于提升系统转换效率并减少散热负担。 其独立封装结构便于集成于各类高密度电源架构中, 适用于对能效和功率密度要求较高的交流-直流与直流-直流转换场合, 满足高频、高可靠性电力转换应用的技术需求。
DSC04C065-HXY特性
暂无产品特性。
DSC04C065-HXY应用领域
暂无应用领域。
