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DSC04C065-HXY
IC

TO-220C-2L

可供量大可议

DSC04C065-HXY

该碳化硅二极管采用独立式配置, 具备4A的正向电流(IF)和650V的反向重复峰值电压(VR), 正向压降(VF)为1.53V。 器件利用碳化硅材料特性, 实现快速开关响应与高工作温度耐受能力, 反向漏电流低, 有助于提升系统转换效率并减少散热负担。 其独立封装结构便于集成于各类高密度电源架构中, 适用于对能效和功率密度要求较高的交流-直流与直流-直流转换场合, 满足高频、高可靠性电力转换应用的技术需求。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-220C-2L

库存

24

货期

现货

DSC04C065-HXY参数

封装TO-220C-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类碳化硅二极管
库存24

DSC04C065-HXY概述

该碳化硅二极管采用独立式配置, 具备4A的正向电流(IF)和650V的反向重复峰值电压(VR), 正向压降(VF)为1.53V。 器件利用碳化硅材料特性, 实现快速开关响应与高工作温度耐受能力, 反向漏电流低, 有助于提升系统转换效率并减少散热负担。 其独立封装结构便于集成于各类高密度电源架构中, 适用于对能效和功率密度要求较高的交流-直流与直流-直流转换场合, 满足高频、高可靠性电力转换应用的技术需求。

DSC04C065-HXY特性

暂无产品特性。

DSC04C065-HXY应用领域

暂无应用领域。

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