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DSC04A065-HXY
IC

TO-220C-2L

可供量大可议

DSC04A065-HXY

该碳化硅二极管为独立式配置, 具有4A的额定正向电流和650V的反向重复峰值电压, 正向导通压降典型值为1.53V, 在瞬态条件下可承受高达32A的非重复浪涌正向电流。 其结构利用碳化硅材料的物理特性, 实现快速开关响应与较低的导通损耗, 适用于高频电源转换、AC-DC整流及功率因数校正等电路拓扑中, 有助于提升系统效率并简化热管理设计。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-220C-2L

库存

23

货期

现货

DSC04A065-HXY参数

封装TO-220C-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类碳化硅二极管
库存23

DSC04A065-HXY概述

该碳化硅二极管为独立式配置, 具有4A的额定正向电流和650V的反向重复峰值电压, 正向导通压降典型值为1.53V, 在瞬态条件下可承受高达32A的非重复浪涌正向电流。 其结构利用碳化硅材料的物理特性, 实现快速开关响应与较低的导通损耗, 适用于高频电源转换、AC-DC整流及功率因数校正等电路拓扑中, 有助于提升系统效率并简化热管理设计。

DSC04A065-HXY特性

暂无产品特性。

DSC04A065-HXY应用领域

暂无应用领域。

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