DSC04A065-HXY
IC
TO-220C-2L
可供量大可议
DSC04A065-HXY
该碳化硅二极管为独立式配置, 具有4A的额定正向电流和650V的反向重复峰值电压, 正向导通压降典型值为1.53V, 在瞬态条件下可承受高达32A的非重复浪涌正向电流。 其结构利用碳化硅材料的物理特性, 实现快速开关响应与较低的导通损耗, 适用于高频电源转换、AC-DC整流及功率因数校正等电路拓扑中, 有助于提升系统效率并简化热管理设计。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-220C-2L
库存
23
货期
现货
DSC04A065-HXY参数
| 封装 | TO-220C-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅二极管 |
|---|---|
| 库存 | 23 |
DSC04A065-HXY概述
该碳化硅二极管为独立式配置, 具有4A的额定正向电流和650V的反向重复峰值电压, 正向导通压降典型值为1.53V, 在瞬态条件下可承受高达32A的非重复浪涌正向电流。 其结构利用碳化硅材料的物理特性, 实现快速开关响应与较低的导通损耗, 适用于高频电源转换、AC-DC整流及功率因数校正等电路拓扑中, 有助于提升系统效率并简化热管理设计。
DSC04A065-HXY特性
暂无产品特性。
DSC04A065-HXY应用领域
暂无应用领域。
