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DSC04065D1-HXY
IC

TO-252-2L

可供量大可议

DSC04065D1-HXY

该碳化硅二极管为独立式器件, 额定正向电流(IF)为4A, 反向重复峰值电压(VR)达650V, 正向压降(VF)低至1.4V, 具备优异的导通效率和较低的功率损耗。 得益于碳化硅材料的高热导率和快速开关特性, 该器件在高频工作环境下仍能保持稳定的电气性能, 反向恢复时间短, 可有效减少开关损耗。 适用于高效率开关电源、光伏逆变系统、服务器电源模块以及对能效和散热性能有较高要求的电力转换电路, 有助于提升系统整体功率密度与运行可靠性。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-252-2L

库存

47

货期

现货

DSC04065D1-HXY参数

封装TO-252-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类碳化硅二极管
库存47

DSC04065D1-HXY概述

该碳化硅二极管为独立式器件, 额定正向电流(IF)为4A, 反向重复峰值电压(VR)达650V, 正向压降(VF)低至1.4V, 具备优异的导通效率和较低的功率损耗。 得益于碳化硅材料的高热导率和快速开关特性, 该器件在高频工作环境下仍能保持稳定的电气性能, 反向恢复时间短, 可有效减少开关损耗。 适用于高效率开关电源、光伏逆变系统、服务器电源模块以及对能效和散热性能有较高要求的电力转换电路, 有助于提升系统整体功率密度与运行可靠性。

DSC04065D1-HXY特性

暂无产品特性。

DSC04065D1-HXY应用领域

暂无应用领域。

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