DSC04065D1-HXY
IC
TO-252-2L
可供量大可议
DSC04065D1-HXY
该碳化硅二极管为独立式器件, 额定正向电流(IF)为4A, 反向重复峰值电压(VR)达650V, 正向压降(VF)低至1.4V, 具备优异的导通效率和较低的功率损耗。 得益于碳化硅材料的高热导率和快速开关特性, 该器件在高频工作环境下仍能保持稳定的电气性能, 反向恢复时间短, 可有效减少开关损耗。 适用于高效率开关电源、光伏逆变系统、服务器电源模块以及对能效和散热性能有较高要求的电力转换电路, 有助于提升系统整体功率密度与运行可靠性。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-252-2L
库存
47
货期
现货
DSC04065D1-HXY参数
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅二极管 |
|---|---|
| 库存 | 47 |
DSC04065D1-HXY概述
该碳化硅二极管为独立式器件, 额定正向电流(IF)为4A, 反向重复峰值电压(VR)达650V, 正向压降(VF)低至1.4V, 具备优异的导通效率和较低的功率损耗。 得益于碳化硅材料的高热导率和快速开关特性, 该器件在高频工作环境下仍能保持稳定的电气性能, 反向恢复时间短, 可有效减少开关损耗。 适用于高效率开关电源、光伏逆变系统、服务器电源模块以及对能效和散热性能有较高要求的电力转换电路, 有助于提升系统整体功率密度与运行可靠性。
DSC04065D1-HXY特性
暂无产品特性。
DSC04065D1-HXY应用领域
暂无应用领域。
