TSOC-6
DS9503P+T&R
DS9503 专为一线式微局域网(1–Wire MicroLAN)接口设计, 用作静电放电(ESD)保护器件。 与 DS9502 不同, DS9503 芯片上集成了两个 5Ω 隔离电阻。 尽管在通信过程中 5Ω 电阻的影响可忽略不计, 但在 ESD 事件中, 相对于导通的二极管, 它们呈现出高阻抗。 因此, 二极管吸收能量, 而电阻进一步隔离并保护封装另一侧的电路。 若与 I/O 端口已有强大 ESD 保护的电路配合使用, ESD 保护等级可提升至超过 27 kV(符合 IEC 801–2 参考模型)。 若遇到超出其最大额定值的异常 ESD 冲击, DS9503 最终会发生“短路”故障, 从而防止进一步损坏。 在正常工作时, DS9503 的特性类似于普通齐纳二极管。 当电压超过触发电压时, 该器件的电流-电压(I/V)特性会出现“回滞”现象, 允许相同或更大的电流通过, 但电压显著降低。 只要维持最小电流或电压, 器件就会保持在“回滞模式”。 若电压或电流降至维持电压或维持电流以下, 器件将突然转变为正常模式, 仅传导微小的泄漏电流。
品牌
ADI/MAXIM
封装
TSOC-6
库存
2,132
货期
现货
DS9503P+T&R参数
| 封装 | TSOC-6 |
|---|---|
| 品牌 | ADI(亚德诺)/MAXIM(美信) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 2132 |
DS9503P+T&R概述
DS9503 专为一线式微局域网(1–Wire MicroLAN)接口设计, 用作静电放电(ESD)保护器件。 与 DS9502 不同, DS9503 芯片上集成了两个 5Ω 隔离电阻。 尽管在通信过程中 5Ω 电阻的影响可忽略不计, 但在 ESD 事件中, 相对于导通的二极管, 它们呈现出高阻抗。 因此, 二极管吸收能量, 而电阻进一步隔离并保护封装另一侧的电路。 若与 I/O 端口已有强大 ESD 保护的电路配合使用, ESD 保护等级可提升至超过 27 kV(符合 IEC 801–2 参考模型)。 若遇到超出其最大额定值的异常 ESD 冲击, DS9503 最终会发生“短路”故障, 从而防止进一步损坏。 在正常工作时, DS9503 的特性类似于普通齐纳二极管。 当电压超过触发电压时, 该器件的电流-电压(I/V)特性会出现“回滞”现象, 允许相同或更大的电流通过, 但电压显著降低。 只要维持最小电流或电压, 器件就会保持在“回滞模式”。 若电压或电流降至维持电压或维持电流以下, 器件将突然转变为正常模式, 仅传导微小的泄漏电流。
DS9503P+T&R特性
暂无产品特性。
DS9503P+T&R应用领域
暂无应用领域。
