DRTR5V0U1LP-7B
IC
DFN1006-2
可供量大可议
DRTR5V0U1LP-7B
特性：IEC 61000-4-2 (ESD)：空气放电 ±15kV， 接触放电 ±8kV。 1 通道 ESD 保护。 低通道输入电容：典型值 1.0pF。 薄型封装（最大 0.55mm）和超小 PCB 占位面积（最大 1.08 * 0.68mm）， 适用于紧凑型便携式电子产品。 通常用于高速端口， 如 USB 2.0、IEEE1394、串行 ATA、DVI、HDMI、PCI。 完全无铅且完全符合 RoHS 标准。 无卤素和锑， “绿色”器件。 符合 AEC-Q101 标准， 可靠性高
品牌
DIODES
封装
DFN1006-2
库存
1,895
货期
现货
DRTR5V0U1LP-7B参数
| 封装 | DFN1006-2 |
|---|---|
| 品牌 | DIODES(美台) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 1895 |
DRTR5V0U1LP-7B概述
特性：IEC 61000-4-2 (ESD)：空气放电 ±15kV， 接触放电 ±8kV。 1 通道 ESD 保护。 低通道输入电容：典型值 1.0pF。 薄型封装（最大 0.55mm）和超小 PCB 占位面积（最大 1.08 * 0.68mm）， 适用于紧凑型便携式电子产品。 通常用于高速端口， 如 USB 2.0、IEEE1394、串行 ATA、DVI、HDMI、PCI。 完全无铅且完全符合 RoHS 标准。 无卤素和锑， “绿色”器件。 符合 AEC-Q101 标准， 可靠性高
DRTR5V0U1LP-7B特性
暂无产品特性。
DRTR5V0U1LP-7B应用领域
暂无应用领域。