DP3080B
IC
TO-252
可供量大可议
DP3080B
特性：使用CRM(CQ)先进沟槽MOS技术。 极低导通电阻RDS(on)。 出色的QgxRDS(on)乘积(FOM)。 符合JEDEC标准。 应用：电机控制和驱动。 电池管理
品牌
德普微电子
封装
TO-252
库存
334
货期
现货
DP3080B参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | 德普微电子 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 334 |
DP3080B概述
特性：使用CRM(CQ)先进沟槽MOS技术。 极低导通电阻RDS(on)。 出色的QgxRDS(on)乘积(FOM)。 符合JEDEC标准。 应用：电机控制和驱动。 电池管理
DP3080B特性
暂无产品特性。
DP3080B应用领域
暂无应用领域。