DP053N08BG
IC
TO-263
可供量大可议
DP053N08BG
特性：使用先进的沟槽MOSFET-DPMOS技术。 极低的导通电阻RDS(on)。 出色的Qg × RDS(on)乘积（FOM）。 符合JEDEC标准。 应用：电机控制和驱动。 电池管理
品牌
德普微电子
封装
TO-263
库存
99
货期
现货
DP053N08BG参数
| 封装 | TO-263 |
|---|---|
| 品牌 | 德普微电子 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 99 |
DP053N08BG概述
特性：使用先进的沟槽MOSFET-DPMOS技术。 极低的导通电阻RDS(on)。 出色的Qg × RDS(on)乘积（FOM）。 符合JEDEC标准。 应用：电机控制和驱动。 电池管理
DP053N08BG特性
暂无产品特性。
DP053N08BG应用领域
暂无应用领域。