DP0150BLP4-7
IC
X2-DFN1006-3
可供量大可议
DP0150BLP4-7
特性：BVCEO > -50V。 高集电极电流：Ic = -100mA。 功率耗散：Pd = 1000mW。 封装尺寸：0.60mm²， 比SOT23小13倍。 低封装高度：0.4mm， 减少板外轮廓。 互补NPN类型：DN0150BLP4。 完全无铅， 完全符合RoHS标准。 无卤素和锑， “绿色”器件
品牌
DIODES
封装
X2-DFN1006-3
库存
550
货期
现货
DP0150BLP4-7参数
| 封装 | X2-DFN1006-3 |
|---|---|
| 品牌 | DIODES(美台) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 三极管(BJT) |
|---|---|
| 库存 | 550 |
DP0150BLP4-7概述
特性：BVCEO > -50V。 高集电极电流：Ic = -100mA。 功率耗散：Pd = 1000mW。 封装尺寸：0.60mm²， 比SOT23小13倍。 低封装高度：0.4mm， 减少板外轮廓。 互补NPN类型：DN0150BLP4。 完全无铅， 完全符合RoHS标准。 无卤素和锑， “绿色”器件
DP0150BLP4-7特性
暂无产品特性。
DP0150BLP4-7应用领域
暂无应用领域。